谢海情，男，汉族，中共党员，1982年9月出生，博士，副教授，硕士生导师。2004年，毕业于湖南大学应用物理系电子科学与技术专业，获学士学位；2008年获湖南大学物理与微电子科学学院微电子学与固体电子学专业硕士学位；2011年获湖南大学博士学位。同年，进入长沙理工大学物理与电子科学学院工作。
主要研究方向：（1）微光电子器件与系统集成（2）专用集成电路设计
先后主持国家自然科学基金1项（No. 61404011），湖南省自然科学基金项目1项（No. 2015JJ3001），湖南省教育厅优秀青年项目（No. 17B007），其他省部级项目2项。参与国家级和省部级科研项目多项。发表SCI、EI收录论文20余篇，获得国家发明专利1项，出版学术专著1部。
从事本科生《模拟集成电路分析与设计》、《集成电路CAD基础》等课程的教学工作。指导大学生创新实验计划项目2项，已顺利结题，并分别获得国家实用新型专利1项。
【近年科研论文代表作】
[1]Hai-qing Xie*,Li-JunTang, Jun-LongTang, PingPeng. Magnetic properties of NI-doped ZnS:First-principles study,Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2015,377(1): 239–242
[2]Hai-Qing Xie,Cheng-Wei Zeng, Xin-Liang Jia, et al. Optimization for Phase Noise in Cross-coupled Integrated Quartz Crystal Oscillator.The IEEE 13thInternational Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016.10 P2-039
[3]Hai-Qing Xie*, Li-Jun Tang, Jun-Long Tang, et al. High quantum-efficiency in lateral PIN photodiode gated by transparent electrode fabricated on SOI film.Optoelectron. Adv. Mat.,2014,8(1-2): 77-82
[4]Hai-Qing Xie∗, Li-Jun Tang, Jun-Long Tang, et al. Study On Frequency Characteristics in Lateral PIN Photodiode Gated by Transparent Electrode Fabricated on Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Film.J. Nanoelectron. Optoelectron., 2014,9(1): 62-66
[5]Hai-Qing Xie*, Li-Jun Tang, Jun-Long Tang, et al.Optical and electronic properties of Ni-doped ZnS: First-principles study.J. Nanoelectron. Optoelectron., 2013,8(3): 297-301
[6]Xie Hai-Qing, Zeng Yun*, Zeng Jian-Ping, et al. Analysis and simulation of lateral PIN photodiode gated by transparent electrode fabricated on fully-depleted SOI film.J. Cent. South Univ. Technol., 2011,18(3): 744-748
[7]Xie Hai-Qing, Chen Yuan, Huang Wei-Qing, et al. Optical characteristics of La-doped ZnS thin films prepared by chemical bath deposition.Chin. Phys. Lett., 2011,28(2): 027806-1-4
[8]Hai-Qing Xie, Yun Zeng*, Wei-Qing Huang, Li Peng, et al. First-principles study on optical and electronic properties of La-doped ZnS.International Journal of the Physical Sciences, 2010,5(17): 2672-2678
[9]谢海情,肖正,唐俊龙等.高稳定性高瞬态响应无片外电容LDO的设计,半导体技术, 2016,41(6): 416-420
[10]谢海情,唐立军,曾云等. La掺杂ZnS的电子结构与稳定性的研究.固体电子学研究与进展, 2013,33(1): 1-5
[11]谢海情，曾承伟，曾健平等.一种低噪声交叉耦合结构集成石英晶体振荡器,湖南大学学报（自然科学版）, 2017,44(2): 117-120
【授权发明专利】
[1]谢海情，唐俊龙，彭润伍，曾承伟，肖正，周斌腾.透明电极栅控横向PIN蓝紫光探测器及其制备方法，中国,发明专利, 2016.7，专利号：ZL 210410607431.4
【学术著作】
[1]谢海情，SOI薄膜蓝紫光探测技术，上海交通大学出版社，2016-08
【联系方式】
Email: xiehq@csust.edu.cn，xhq_108@163.com
通讯地址：（邮编：410114）湖南省长沙市雨花区万家丽南路二段960号
长沙理工大学（云塘校区）物理与电子科学学院
