报告题目：卷起来：后摩尔时代的微观弯曲与未来芯片

主要内容：半导体芯片是信息产业的物质基础，计算机、汽车电子、电网调度与国防装备均依赖其支撑。六十年来，集成电路的进步主要依靠特征尺寸持续缩小；当工艺节点逼近几纳米，短沟道效应使栅极逐渐失去对沟道的控制，漏电与功耗密度同步上升，光刻成本快速攀升，这一路线已接近极限。产业界因此转向新材料、新结构与新原理，力求在不增加芯片面积的前提下提升性能、降低功耗。其中一条路径是将半导体减薄至原子层量级并引入弯曲形变，弯曲会在厚度方向产生每米一千万量级的应变梯度，使表面出现自发极化，即挠曲电效应；该效应不受材料对称性限制，并随厚度减小而增强，与光、磁耦合还可派生挠光电与挠曲磁效应，为低功耗存储、可卷曲显示、电子皮肤、类脑器件与微纳能量收集等提供新的设计原理。本次报告围绕微观形变如何调控材料物性、又如何走向器件展开，主要内容包括：（1）特征尺寸缩小所面临的物理极限；（2）弯曲形变下的新兴效应；（3）相关效应在新型信息器件中的应用前景。

报告人：陈红丽

报告人所在单位：物理与电子科学学院

报告人职称/职务及学术头衔：无

时间：2026年11月3日下午16:00

地点：云工一B-208

报告人简介：陈红丽，女，汉族，中共党员，理学博士。2026年6月毕业于华东师范大学，专业为凝聚态物理，师从褚君浩院士；2026年6月底入职长沙理工大学物理与电子科学学院，现为物理系专任教师、硕士研究生导师。长期从事低维材料物性调控与新型信息器件的第一性原理研究，尤其在铁电、磁性材料中的挠曲电效应方面积累了丰富成果：至今在国际期刊发表学术论文15篇，其中以第一作者/通讯作者在Phys. Rev. Lett.、Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.等期刊发表论文多篇；多次与实验团队合作，为实验提供理论计算与物理机理解释，合作论文发表于Adv. Funct. Mater.、Mater. Horiz.等国际重要期刊。

承办单位：物理与电子科学学院      通识教育中心