报告题目：碳化硅MOSFET动态阈值漂移

主要内容：碳化硅（SiC）MOSFET作为新一代功率半导体器件的核心代表，得益于其在高压、高温、高频等方面的突出优势，在电动汽车、光伏系统和新型电源等领域逐渐得到广泛的应用。然而，在实际应用中，碳化硅MOSFET表现出严重的长期可靠性问题。报告主要针对碳化硅MOSFET在实际应用中的动态阈值漂移问题，介绍动态阈值漂移规律、物理机理以及解决方法。

报告人：汤磊

报告人所在单位：电气与信息工程学院

报告人职称/职务及学术头衔：工学博士

时间：5月16日星期五8:55-9:40

地点：云工一B212

报告人简介：汤磊，男，工学博士，毕业于重庆大学输变电装备技术全国重点实验室，电气工程专业。主要从事第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件可靠性与应用等方向研究，参与国家重点研发项目1项，担任IEEE Transactions on Power Electronics期刊审稿人，发表高水平论文20余篇，授权发明专利4项。

承办单位：电气与信息工程学院 通识教育中心