近日，我院微纳电子材料与新型信息器件课题组在二维Janus材料微纳器件研究方面取得进展，相关成果以《Adjusting Schottky barrier height and enhancing diode performances in 1T-MoT₂/WSeTe(MoSeTe) heterojunctions by interlayer flipping》为题发表于国际著名应用物理期刊《Applied Physics Letters》。我院电子科学与技术在读博士刘乾为第一作者，我院范志强教授、谢海情教授以及湖南大学陈克求教授为共同通讯作者，长沙理工大学为第一单位。

   

图1. 1T-MoTe₂/WSeTe和1T-MoTe₂/MoSeTe异质结沿(a)扶手椅边缘方向或(b)锯齿边缘方向传输的肖特基二极管示意图。

二维Janus材料因其独特的物理结构和优异的电子、光学性能而受到广泛关注。本工作研究了二维Janus WSeTe或MoSeTe与二维 1T-MoTe₂垂直接触范德华异质结的肖特基势垒，设计并探索基于该异质结二极管的工作性能。研究结果显示，当WSeTe或MoSeTe的Te原子层与1T-MoTe₂接触时，接触界面层间原子电负性梯度较小，表现出明显的费米能级钉扎效应，从而产生较大的肖特基势垒高度。通过层间翻转，当WSeTe或MoSeTe的Se原子层与1T-MoTe₂接触，接触界面层间原子电负性梯度较大，费米能级钉扎效应被显著抑制，导致肖特基势垒高度明显降低。基于该接触结构的肖特基二极管呈现出更高的整流比和更大的光电流。

该项工作得到了国家自然科学基金项目的资助。

文章链接：https://doi.org/10.1063/5.0275793

（ 图文/伍丹 一审/范志强 二审/刘斯 三审/张国强）