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陈相柏:半导体纳米材料、拉曼光谱应用、磁振子学

发布日期:2017年05月22日 来源: 作者:

报告承办单位: 物理与电子科学学院

报告内容: 半导体纳米材料、拉曼光谱应用、磁振子学

报告人姓名: 陈相柏

报告人所在单位: 武汉工程大学理学院

报告人职称/职务及学术头衔: 楚天学者特聘教授、副院长

报告时间: 2017年5月15日上午10:00—12:00

报告地点: 云塘校区理科楼B513

报告人简介: 陈相柏,男,博士,特聘教授,武汉工程大学理学院副院长。1978年7月出生于湖北钟祥2004年8月毕业于美国爱达荷大学物理系,获博士学位。之后曾在美国加州大学默塞德分校从事博士后研究工作,韩国梨花女子大学担任助理教授,韩国建国大学担任副教授。2014年11月获聘楚天学者特聘教授。

主要研究方向:光谱技术及应用,磁振子学,光功能纳米材料。Phys. Rev. Lett.、Sci. Rep.、Appl. Phys. Lett.、New J. Phys.、J. Raman Spectrosc.、J. Phys. Chem. BJ. Phys. D: Appl. Phys.等国际主流SCI期刊发表论文40余篇,论文被引用500次。主持国家自然科学基金面上项目一项,主持完成韩国国家研究基金项目一项。

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