5月16日上午，为加强本科生通识教育，电气学院在云塘校区工科一号楼B212举办以“碳化硅MOSFET动态阈值漂移”为主题的通识教育讲座。本次讲座由学院教师汤磊博士主讲，自动化等相关专业学生参加。

汤磊指出，碳化硅（SiC）MOSFET凭借高压、高温、高频特性，已成为电动汽车、光伏系统及新型电源等领域的核心器件，但其动态阈值漂移问题严重制约工程化应用。汤磊结合自身在第三代宽禁带半导体器件可靠性领域的科研成果，系统解析了动态阈值漂移的物理机理、演化规律及优化策略，强调解决该问题对推动新能源产业高质量发展的关键意义。

在互动环节，汤磊表示，“功率半导体器件是能源革命的关键之一，而动态阈值漂移等可靠性问题恰是技术突破的‘最后一公里’”。此次讲座不仅为同学们揭示了碳化硅器件技术的前沿方向，更激发了青年学子投身科研攻关、服务国家战略的使命担当。

（文、图/孙凯、王灿、龚海洋  一审/吴文斌  二审/贾智伟  三审/杨洪明）