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预告:赖朝松: Graphene doping technology, transistor fabrication, neuromorphic and chemical sensor applications

发布日期:2019年09月03日  来源:物理与电子科学学院

报告承办单位:物理与电子科学学院

报告内容: Graphene doping technology, transistor fabrication, neuromorphic and chemical sensor applications

报告人姓名: 赖朝松

报告人所在单位长庚大学

报告人职称/职务及学术头衔: 博士/长庚大学工学院院长

报告时间: 2019年9月5日下午2:00

报告地点:云塘理科楼C522

报告人简介:赖朝松教授分别于1991年和1996年在台湾交通大学获得硕士和博士学位。1996年,加入新竹国立纳米器件研究所,从事SOI器件研究。1997年加入长庚大学,并分别于2001年和2006年成为副教授和全职教授。赖朝松教授的研究领域涉及:MOSFET器件特性与可靠性、Flash存储器、高k介质和金属栅结构、生物传感器等。2001年至2002年,在加州大学伯克利分校从事FinFET器件访问研究。2007年至2013年,担任长庚大学电子工程系主席和生物医学研究中心生物传感器组组长,从事生物晶体管应用相关研究。自2012年起,担任长庚大学工程学院院长。赖朝松教授拥有12项美国专利和60项台湾专利,发表超过150篇SCI论文,200篇会议论文,20个国际邀请报告,2本著作章节。赖朝松教授是多个SCI期刊的重要嘉宾编辑(Leading Guest Editer),包括:Microelectronics Reliability (2010), Nano-Scaled Research Letters (2011), and Solid-State Electronics (2012), and Nano-Scaled Research Letters (2014)1997年获得Lam研究奖(Lam Research Award)2001年获得电子器件与材料协会的杰出奖(Distinguished Aword)。